华为正式入局光刻机产业 卡脖子局面或将扭转

2022-12-09

 近期，国家知识产权局公布了华为的一项新专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”(CN115343915A)，与EUV(极紫外)光刻机有关。众所周知，荷兰公司ASML垄断了全球高端芯片的光刻技术，该公司最先进的EUV光刻机已成为半导体大规模量产和工业化不可或缺的设备，可以制造出7nm、5nm，甚至更先进制程的芯片。叠加美国对华技术封锁的打压下，华为高端芯片的量产就此停滞。

去年，华为还公开一项“光计算芯片、系统及数据处理技术”的发明专利，属于光子芯片技术的一种，光子芯片即采用光数据信号处理数据的芯片。无论是芯片堆叠、量子芯片，还是光子芯片技术的布局，可以看出，华为一直在做着两手准备，一边攻克光刻机制造技术，一边试图研发“去EUV化”的造芯方案。

事实上，这并不是华为第一次申请与光刻机相关的专利了。早在2016年，未雨绸缪的华为就躬身入局自研光刻机，并在国家知识产权局上公布了“一种光刻设备和光刻系统”的专利项目，从那时开始，华为已经开始着手光刻机产业的研发。此外，在探索造芯的途中，华为不遗余力，也曾另辟蹊径想要探索出一种无需EUV光刻机就能造芯的方案。于是，华为申请了芯片堆叠技术的专利。其设计思路是将两枚芯片采用上下堆叠的方式进行封装，采用面积换性能，能够将14nm芯片性能提升至7nm。