美国自2020年底开始禁止企业未经许可,向中芯出售用于制造10纳米或更先进晶片的设备,市场亦质疑,若中芯技术出现突破,是否意味美国制裁,对中国晶片行业发展没有成效。至于被视为另一项针对中国晶片业发展的晶片法案,已获美国参议院通过,莫灏楠认为,法案对技术相对落后的中芯来说,影响比较轻微,但有助先进生产商在,晶片定价上取得优势。
独立股评人莫灏楠说:“就算她真的做到出来,成本与台积电及三星去比较,会差多远呢,如果差距太远时,或者良率,即是制造出来的成功率差得太远时,其实都不可以足够与市场竞争,技术突破这件事,中芯已经落后了台积电,我想大概3至5年,不是那么快可以追赶的事。”
被美国制裁接近两年,据报中芯在晶片技术上仍取得重大突破,彭博引述行业观察机构的消息指,目前主打生产14纳米晶片的中芯,自去年7月起,开始向美国一间比特币挖矿公司,交付7纳米的晶片,相等于将制造技术提升两代,不过机构在拆解这款晶片后,发现可能是抄袭台积电的技术,成功比率亦都不太理想。