华为和中科院微电子研究所将在下个月在夏威夷进行的集成电路领域顶级会议上介绍其共同合作开发的3D DRAM技术。此项技术采用铟镓锌氧材料,创新的采用垂直环形沟道器件结构的晶体管,这种结构的晶体管上下两层可以直接相连,能够极大的提升晶体管的密度,铟镓锌氧材料可以有效的控制芯片的温度,保证晶体管密度提升后,芯片热量控制住正常范围内。
芯片堆叠有两大难题,上下层晶体管互联以及散热问题?华为的这项研究解决的就是这个问题。不过也不能太过乐观,铟镓锌氧材料日本水平最高,这种新结构的晶体管是否适合制造也需要检验。